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(資料圖)

Neo Semiconductor 宣布了世界上第一個(gè)稱為 3D X-DRAM 的 3D 可堆疊 DRAM 技術(shù)，它可以徹底改變我們今天所知的內(nèi)存行業(yè)。Neo 估計(jì)其 3D X-DRAM 技術(shù)可以達(dá)到 128Gb 的密度，這是當(dāng)今采用DDR5技術(shù)的最佳解決方案的 8 倍。

硅的 3D 堆疊已經(jīng)存在了幾年。您可能已經(jīng)在 AMD最新的采用3D V-Cache技術(shù)的Ryzen CPU中看到了它，但是，這是第一次將 3D 堆疊技術(shù)引入計(jì)算機(jī)系統(tǒng)內(nèi)存(即 DDR4 和 DDR5)。與當(dāng)前的 2D 解決方案相比，3D-XDRAM 允許 DRAM 模塊垂直(3D)堆疊在彼此之上，以提高密度和整體內(nèi)存容量。Neo 的新 3D X-DRAM 技術(shù)使用了一種類似于 3D NAND 的 DRAM 單元陣列結(jié)構(gòu)。據(jù)報(bào)道，它制造成本低廉且易于生產(chǎn)，但與當(dāng)今的 DRAM 設(shè)計(jì)相比，其內(nèi)存容量大得多。

我們不知道帶有 3D X-DRAM 的 DRAM 模塊到底有多快或多大，但該技術(shù)對整個(gè)計(jì)算行業(yè)具有巨大影響，特別是在高端服務(wù)器市場，大塊內(nèi)存(超過1TB)需要運(yùn)行復(fù)雜的工作負(fù)載，如模擬和機(jī)器學(xué)習(xí)。根據(jù) Neo 的分析，我們可以在未來使用 3D X-DRAM 擁有容量為 4TB 至 8TB 的單個(gè)內(nèi)存 DIMM，考慮到目前使用整排 DIMM 的大多數(shù)服務(wù)器最大容量為 8TB，這是一個(gè)驚人的容量。

Neo 表示，由于其令人印象深刻的功能，整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)正在轉(zhuǎn)向系統(tǒng)內(nèi)存的 3D 堆疊技術(shù)。據(jù)報(bào)道，3D 堆疊將使該行業(yè)繞過數(shù)十年來圍繞 DRAM 密度的成本和產(chǎn)量延遲，以及不可避免的制造中斷。Neo 預(yù)計(jì)3D X-DRAM 的發(fā)展將在未來 15 年內(nèi)飛速發(fā)展，從 2024 年到 2030 年代中期，密度從 128Gb 一直線性增加到 1Tb。